FF150R12RT4HOSA1

Артикул: FF150R12RT4HOSA1  •  INF
Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 150 А, 790 Вт
ПроизводительINF
Корпус34 mm
Вес, гр.182,2
Ед. измеренияшт
УпаковкаTray (палетта)
В упаковке10
293,88 BYN
цена за 1 шт · при партии от 1
Сумма партии 293,88 BYN
КоличествоЦена, BYN
от 1 293,88 BYN
от 2 284,52 BYN
от 3 278,28 BYN
от 6 272,82 BYN
от 10 269,10 BYN
Количество:
Минимальная партия: 1 шт · доступно: 157 шт